9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDFS6N754，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDFS6N754参考价格为2.004美元。onsemi FDFS6N754封装/规格：MOSFET N-CH 30V 4A 8SOIC。您可以下载FDFS6N754英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDFS6N548是MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计为以0.006596盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC窄8，技术设计为在Si中工作，该器件也可以作为肖特基二极管配置的单个器件使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为2纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14ns，典型接通延迟时间为6ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
FDFS2P753Z是MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为31 ns，器件具有115 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为1.6 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为-3A，正向跨导最小值为6S，下降时间为31ns，配置为单肖特基二极管，信道模式为增强型。
FDFS6N303是由FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC。FDFS6N303采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC、N沟道30V 6A（Ta）900mW（Ta）表面安装8-SO、Trans MOSFET N-CH30V 6A 8-引脚SOIC N T/R。
