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NMSD200B01-7

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥2.17287
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.17
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 50 pF @ 25 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 最大功耗 200mW(Ta)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 SOT-363
  • 导通电阻 Rds(ON) 3欧姆 @ 50毫安, 5V

NMSD200B01-7 产品详情

•NMSD200B01-7最适合开关稳压器和电源管理应用。它提高了电压调节器模块(VRM)中使用的DC-DC控制器的效率和可靠性,可以支持200mA的连续最大电流。它具有低导通电阻的ESD保护分立N-MOSFET和低正向压降的分立肖特基二极管。它减少了组件数量,占用更少的空间,并将寄生损耗降至最低。组件器件可以用作电路的一部分或独立的分立器件。

特色


•带ESD栅极保护的N-MOSFET
•低导通电阻的N-MOSFET(RDS(On))
•低Vf肖特基二极管
•低静态、开关和传导损耗
•良好的动态性能
•适合自动组装的表面安装组件
•设计无铅/符合RoHS(注1)
•“绿色”设备(注2)

NMSD200B01-7所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NMSD200B01-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NMSD200B01-7价格参考¥2.172870,你可以下载 NMSD200B01-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NMSD200B01-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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