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APT48M80L是MOSFET N-CH 800V 48A TO-264，包括1.340411盎司的单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-247-3，提供Si等技术特性，配置设计为单台工作，以及1.135 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为70 ns，器件的上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为49 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs第栅极-源阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为190mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为230ns，典型接通延迟时间为55ns，Qg栅极电荷为305nC，正向跨导最小值为43S，沟道模式为增强。
APT4F120K是MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于+/-30 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1.2 kV，提供单位重量功能，如0.081130 oz，典型开启延迟时间设计为7.4 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为4.4 ns，器件的漏极-源极电阻为4.2欧姆，Qg栅极电荷为43 nC，Pd功耗为225 W，封装外壳为TO-220，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为4A，并且正向跨导Min为4.5S，并且下降时间为6.9ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
APT48M80B2是MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX，包括Si技术。
