9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB25NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB25NM50N参考价格$2.458。STMicroelectronics STB25NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK。您可以下载STB25NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB25N80K5是MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为250W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为1600pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为19.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为260 mOhm@19.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为250 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为19.5A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，第Vgs栅极源极阈值电压为4V，Rds漏极源极电阻为260mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为40nC，沟道模式为增强。
STB24NM65N是MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为10 ns，漏极电阻Rds为160 mOhms，Pd功耗为160 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为19 A，正向跨导最小值为14 S，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB25NM50-1，带有ST制造的电路图。STB25NM50-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
