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IRLR3114ZTRPBF是MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5m欧姆40nC，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供140 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为130 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导最小值为98S，沟道模式为增强。
IRLR3303是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 35A DPAK。IRLR3302有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH30V 35A-DPAK。
IRLR3303PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 35A DPAK。IRLR3303PBF有TO-252-3，DPAK（2引线+标签），SC-63封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH30V 35A-DPAK，Trans-MOSFET N-CH-Si 30V 35A3-Pin（2+标签）DPAK。
IRLR3303TR是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 35A DPAK。IRLR3303R有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 35A-DPAK，N沟道30V 35V（Tc）68W（Tc）表面安装D-Pak。
