9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSC02N03S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSC02N03S参考价格为10.582美元。Infineon Technologies BSC02N03S封装/规格：MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON。您可以下载BSC02N03S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如BSC02N03S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的东西，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如BSC02N03S库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
BSC020N03MS G是MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M，包括OptiMOS 3M系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSC020N3MSGATMA1 BSC020M03MSGXT SP000311503，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为14纳秒，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为27ns，沟道模式为增强。
BSC020N03MSGATMA1是MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于OptiMOS，提供Si等技术特性，系列设计用于BSC020N3，以及BSC020R03MSGXT SP000311503部件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TDSON-8，该设备提供1信道数信道。
BSC020N03MSG，电路图由FEELING制造。BSC020N03MSG可在DFN-85X6封装中获得，是FET的一部分-单个。
