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FDFMA3N109

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A(Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥70.09679
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥70.10
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 最大功耗 1.5W(Ta)
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 部件状态 过时的
  • 包装/外壳 6-VDFN Exposed Pad
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 6-MicroFET (2x2)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 220 pF@15 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.9A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 123毫欧姆@2.9A,4.5V

FDFMA3N109 产品详情

该设备专门设计为用于蜂窝手机和其他超便携应用中的升压拓扑的单封装解决方案。它的特点是具有低输入电容、总栅极电荷和稳态电阻的MOSFET,以及具有低正向电压和反向漏电流的独立连接肖特基二极管,以最大化升压效率。MicroFET 2x2封装因其物理尺寸提供了优异的热性能,非常适合开关和线性模式应用。

特色

  • 2.9安培,30伏特
  • RDS(ON)=123 mΩ@VGS=4.5 V
  • RDS(开启)=140 mΩ@VGS=3.0 V
  • RDS(开启)=163 mΩ@VGS=2.5
  • VF<0.46 V@500mA
  • 薄型–最大0.8 mm–在新封装中,MicroFET 2x2 mm
  • HBM ESD保护等级=1.8kV典型值(注3)
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDFMA3N109所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDFMA3N109 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDFMA3N109价格参考¥70.096786,你可以下载 FDFMA3N109中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDFMA3N109规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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