9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPA03N60C3XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPA03N60C3XKSA1参考价格$3.568。Infineon Technologies SPA03N60C3XKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-FP。您可以下载SPA03N60C3XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SPA02N80C3是MOSFET N-CH 800V 2A TO-220，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000216295 SPA02N80X3XK SPA02N8OC3XKSA1，该产品提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为30.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.7欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强。
SPA03N60C3是MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为64 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为3 ns，漏极电阻Rds为1.4欧姆，Pd功耗为29.7 W，零件别名为SP000216296 SPA03N60C3XK SPA03N6OC3XKSA1，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.2A，下降时间为12ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPA02E-12是Mean Well制造的“隔离式DC/DC转换器4.5-9Vin 12V17-167mA 1.8W”。SPA02E-1采用SIP封装，是DC-DC转换器的一部分，支持“隔离式DC-DC转换器4.5-9 Vin 12V1 7-167mA 1.8 W，隔离模块DC DC转换器1输出12V 150mA 4.5V-9V输入，模块DC-DC 1-OUT 12V 0.15A 1.8W 7引脚SIP，隔离DC/DC转换器4.5-9Vin 12V17-167mA 1.8W，EMI滤波器。
SPA02E-15是Mean Well制造的“隔离式DC/DC转换器4.5-9Vin 15V12-120mA 1.8W”。SPA02E-1 5采用SIP封装，是DC-DC转换器的一部分，并支持“隔离式DC-DC转换器4.5-9 Vin 15V1 2-120mA 1.8V，隔离模块DC-DC转换器1输出15V 120mA 4.5V-9V输入，模块DC-DC 1-OUT 15V 0.12A 1.8W 7引脚SIP，隔离DC/DC转换器4.5-9Vin 15V12-120mA 1.8W，EMI滤波器。
