9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFB9N30APBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFB9N30APBF参考价格为0.684美元。Vishay Siliconix IRFB9N30APBF封装/规格：MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB。您可以下载IRFB9N30APBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFB812PBF是MOSFET Gen 10.7 FredFet 500V 1.5Ohm，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供78 W Pd功耗，器件具有20 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为3.6 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，Rds漏极源极电阻为1.75欧姆，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为13.3 nC。
IRFB7N60C3PBF带有IR制造的用户指南。IRFB7N80C3PBF采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRFB812是由IR制造的MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB。IRFB812以TO-220-3封装形式提供，是FET-单体的一部分，并支持MOSFET N CH500V 3.6A TO 220AB。
IRFB9N30A是由IR制造的MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB。IRFB9N40A可提供TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH300V 9.3A-TO-220AA、N沟道300V 9.3V（Tc）96W（Tc。
