9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSP298L6327HUSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSP298L6327HUSA1参考价格为0.49000美元。Infineon Technologies BSP298L6327HUSA1封装/规格：MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4。您可以下载BSP298L6327HUSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSP298H6327XUSA1是MOSFET N-Ch 400V 500mA SOT-223-3，包括BSP298系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSP298 H6327 SP001058626，提供单位重量功能，如0.008826盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-223-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.8 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为500mA，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为2.5uC，正向跨导最小值为0.5S，并且信道模式是增强。
BSP298 H6327和用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于400 V，提供典型的开启延迟时间功能，如10 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为BSP298系列，该器件具有25 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为3欧姆，Pd功耗为1.8 W，零件别名为BSP298H6327XUSA1 SP001058626，包装为卷轴，包装盒为PG-SOT223，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为500 mA，正向跨导最小值为0.5 S，下降时间为20 ns，配置为1 N通道，通道模式为增强型。
BSP298，带有INFINEON制造的电路图。BSP298在SOT223封装中提供，是FET的一部分-单个。
BSP298 L6327是INFINEON制造的MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223。BSP298 L6327在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223。
