9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD60R385CPBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD60R385CPBTMA1参考价格$7.111。Infineon Technologies IPD60R385CPBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3。您可以下载IPD60R385CPBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPD60R385CP是MOSFET N-Ch 600V 9A DPAK-2 CoolMOS CP，包括CoolMOS系列CP，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD60R485CPBTMA1 IPD60R585CPXT SP000307381，提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为9A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为385mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IPD60R380P6ATMA1带有用户指南，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作，晶体管极性显示在N沟道中使用的数据表注释中，提供了CoolMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及IPD60R480P6 SP001135814零件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-252-3，该设备提供1信道数信道。
IPD60R385CPATMA1带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于to-252-3封装盒，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供部件别名功能，如IPD60R185CP SP000680638，技术设计用于Si，以及CoolMOS商标，该器件也可以用作N通道晶体管极性。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供600 V Vds漏极-源极击穿电压。
IPD60R380P6，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPD60R380P6采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
