专为手机和其他超便携应用中的电池充电开关设计
独立连接的低正向电压肖特基二极管允许最小的传导损耗
特色
- VGS=10V,ID=7A时,最大rDS(开)=23mΩ
- VGS=4.5V,ID=6A时,最大rDS(开)=30mΩ
- VF<0.45V@2A
- 心室颤动<0.28V@100mA
- 肖特基和MOSFET集成到单功率表面安装SO-8封装中
- 用于设计灵活性的电气独立肖特基和MOSFET引脚
- 低米勒电荷
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
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专为手机和其他超便携应用中的电池充电开关设计
独立连接的低正向电压肖特基二极管允许最小的传导损耗
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