特色
- VGS=10 V，ID=15 A时，最大rDS（开）=7.0 mΩ
- VGS=4.5 V，ID=12.6 A时，最大rDS（开启）=10 mΩ
- 典型的3.8kV HBM ESD保护等级（注3）
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术（开启）
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 电源管理
- 负载开关
FDS8817NZ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥58.79786
-
数量:
- +
- 总计: ¥58.80
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Ta）
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 45 nC @ 10 V
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2400 pF@15 V
- 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 15A, 10V
FDS8817NZ 产品详情
该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产，该工艺经过特别定制，可将导通电阻降至最低。该设备非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载切换应用。
FDS8817NZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDS-312 | 乔纳德 (Jonard Tools) | FIBER DROP CABLE STRIPPER (3.1MM | ¥202.43906 |
 | FDSM012P2 | 百通 (Belden) | FD M_D OS2 12F OFNP SU_3. | ¥4.92517 |
| FDSY006RF | 百通 (Belden) | FD TO_CPE OS2 6F OFNR | ¥22.09085 |
| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS8817NZ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDS8817NZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS8817NZ价格参考￥58.797862，你可以下载 FDS8817NZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS8817NZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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