9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRL1104LPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL1104LPBF参考价格为3.172美元。Infineon Technologies IRL1104LPBF封装/规格：MOSFET N-CH 40V 104A TO262。您可以下载IRL1104LPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IRL1104LPBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRL1004STRRPBF是MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 6.5mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14 ns，上升时间为210 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为130 A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为100nC，正向跨导最小值为63S，沟道模式为增强。
IRL1004STRLPBF是MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作9毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为66.7nC，该器件提供150W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为110A。
IRL1084D，带有由IR制造的电路图。IRL1084D采用TO252封装，是IC芯片的一部分。
IRL1104是由IR制造的MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB。IRL1104以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH40V 104A-TO-220AA、N沟道40V 104A-167W（Tc）通孔TO-220AC。
