9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AOTF5N50，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AOTF5N50参考价格为0.47520美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AOTF5N50封装/规格：MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F。您可以下载AOTF5N50英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AOTF5B60D是IGBT 600V 10A 31.2W TO220F，包括Alpha IGBT？系列，它们设计用于管式包装，数据表注释中显示了用于to-220-3全包装的包装盒，该包装盒提供标准等输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-220-3F供应商设备包装，该设备也可作为31.2W功率最大值使用。此外，反向恢复时间trr为98ns，该设备采用14A电流收集器Ic Max，该设备具有600V的电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器脉冲Icm为20A，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，5A，开关能量为140μJ（开），40μJ（关），栅极电荷为9.4nC，25°C下的Td为12ns/83ns，测试条件为400V，5A，60欧姆，15V。
带用户指南的AOTF5B65M1，包括650V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.98V@15V、5A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，适用于400V、5A、60欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如8.5ns/106ns，开关能量设计为在80μJ（开）、70μJ（关）下工作，除了TO-220供应商器件包，该器件还可以用作Alpha IGBT？系列此外，反向恢复时间trr为195ns，该器件的最大功率为25W，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，安装类型为通孔，输入类型为标准，栅极电荷为14nC，集流器脉冲Icm为15A，集流器Ic最大值为10A。
AOTF5N100是AOS制造的MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F。AOTF5N100采用TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F、N沟道1000V 4A（Tc）42W（Tc）通孔TO-220-3F、Trans MOSFET N-CH1KV 4A 3-Pin（3+Tab）TO-220F。
