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STP25N80K5是MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5，包括MDmesh K6系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有250W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为19.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，漏极-源极电阻Rds为260mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为40nC，沟道模式为增强。
STP25NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 22A TO-220。STP25NM50N以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 22A TO-220、N沟道500V 22A（Tc）160W（Tc）通孔TO-220AB、Trans MOSFET N-CH2500V 22A 3引脚（3+Tab）TO-220管。
STP25NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 21A TO-220。STP25NM60N以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH600V 21A TO-220、N沟道600V 21A（Tc）160W（Tc）通孔TO-220AB、跨MOSFET N-CH2600V 21A 3引脚（3+Tab）TO-220管。
