9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW43NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW43NM50N价格参考1.474美元。STMicroelectronics STW43NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3。您可以下载STW43NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW43N60DM2，带引脚细节，包括1.340411盎司单位重量，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道配置，该设备还可用作250 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为6 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为34 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为93毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85纳秒，典型接通延迟时间为29纳秒，Qg栅极电荷为56纳秒，沟道模式为增强型。
STW42N65M5是MOSFET N-CH 650V 33A TO-247，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在650 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如61 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh M5系列，该器件具有24 ns的上升时间，漏极电阻Rds为70 mOhms，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为33 A，下降时间为13 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STW42N65M5r（带有由ST制造的电路图）是IC芯片的一部分。
