9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW43NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW43NM60N参考价格为0.964美元。STMicroelectronics STW43NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3。您可以下载STW43NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW43N60DM2，带引脚细节，包括1.340411盎司单位重量，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道配置，该设备还可用作250 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为6 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为34 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为93毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85纳秒，典型接通延迟时间为29纳秒，Qg栅极电荷为56纳秒，沟道模式为增强型。
STW42N65M5r和ST.制造的用户指南是IC芯片的一部分。
STW43NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 37A TO-247。STW43NM50N可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 37A TO-247、N沟道500V 37A（Tc）255W（Tc。
