9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW43NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW43NM60ND参考价格为13.608美元。STMicroelectronics STW43NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3。您可以下载STW43NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW43NM60N是MOSFET N-CH 600V 35A TO-247，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供通孔等安装方式功能，封装盒设计用于TO-247-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有255 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为35 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为88mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
STW43NM50N是由ST制造的MOSFET N-CH 500V 37A TO-247。STW43NM50N可在TO-247-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 37A TO-247、N沟道500V 37A（Tc）255W（Tc。
STW43NM60N1（带有由ST制造的电路图）是IC芯片的一部分。
