9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB30NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB30NM60ND价格参考9.534美元。STMicroelectronics STB30NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK。您可以下载STB30NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB30NF20是MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK，包括STripFET？系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为125W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为200V，输入电容Cis-Vds为1597pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为75mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，Pd功耗为125W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.8 ns，上升时间为15.7ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为75m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为35ns，沟道模式为增强型。
STB30NF20L是MOSFET N-Ch 200V 0.065 Ohm 30A STripFET 150W，包括200 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性功能，如N沟道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作65mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为150W，该器件采用卷筒包装，该器件具有TO-252-3封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为30A。
STB30NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK。STB30MM60N提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH600V 25A D2PAK，N沟道600V 25A（Tc）190W（Tc，表面安装D2PAK）。
