该N沟道逻辑电平MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。
与具有类似RDS（ON）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。
其结果是MOSFET易于驱动且更安全（即使在非常高的频率下），DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
它已针对低栅极电荷、低RDS（ON）和快速开关速度进行了优化。
FDP6670AL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Ta) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 最大功耗 68W (Tc)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 工作温度 -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 6.5毫欧姆 @ 40A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 33 nC @ 5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2440 pF@15 V
FDP6670AL 产品详情
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FDP6670AL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDP6670AL 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDP6670AL价格参考￥57.769370，你可以下载 FDP6670AL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDP6670AL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
