特色
- RDS（开启）=2.1mΩ （典型）@VGS=10V，ID=80A
- QG（tot）=215nC（典型值）@VGS=10V
- 低米勒电荷
- 低Qrr体二极管
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合AEC Q101RoHS
应用
- 其他音频和视频
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工作站
- 服务器和大型机
- 台式电脑
- AC-DC商用电源-台式电脑
- 智能电网
- 电动自行车
- 其他工业
FDP8441_F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta）、80A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥16.78904
-
数量:
- +
- 总计: ¥16.79
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 安装类别 通孔
- 供应商设备包装 TO-220-3
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功耗 300W (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 23A（Ta）、80A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 2.7毫欧姆@80A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 280 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15000 pF@25 V
FDP8441_F085 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET 40 V，80 A，2.7 mΩ
FDP8441_F085 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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 | FDP-500 | 松下工业自动化 (Panasonic) | PROTECT TUBE M6 DIF. FIBER 500MM | ¥169.48386 |
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| FDPC3D5N025X9D | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1,377.19398 |
 | FDPF320N06L | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 26W（Tc） 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | FDP18N50 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc） 最大功耗: 235W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.36656 |
FDP8441_F085所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDP8441_F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDP8441_F085价格参考￥16.789042，你可以下载 FDP8441_F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDP8441_F085规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
