9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDP8870-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDP8870-F085参考价格$4.68。onsemi FDP8870-F085封装/规格：MOSFET N-CH 30V 19A/156A TO220-3。您可以下载FDP8870-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDP8870是MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB，包括PowerTrench系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于FDP8870_NL的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.063493盎司，安装样式设计用于通孔，以及TO-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为160 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为105 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为156A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
FDP8860是MOSFET N-CH 30V 80A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.063493盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为64 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为135 ns，器件的漏极-源极电阻为2.5 mOhms，Pd功耗为254 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为80 A，下降时间为59 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FDP8840，电路图由FSC制造。FDP8840采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
