9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP75NF68，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP75NF68参考价格为1.576美元。STMicroelectronics STP75NF68封装/规格：MOSFET N-CH 68V 80A TO220-3。您可以下载STP75NF68英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP75NF20是MOSFET N-CH 200V 75A TO-220，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有190 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-50 C，下降时间为29 ns，上升时间为33 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为75 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为53ns，正向跨导最小值为40S，沟道模式为增强。
STP75N75F4是MOSFET N-Ch 75V 0.0092 Ohm 78A STripFET DGATE，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为61 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道STripFET系列，该器件具有33 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为11 mOhms，Qg栅极电荷为76 nC，Pd功耗为150 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，并且Id连续漏极电流为78A，并且下降时间为14ns，并且沟道模式为增强。
STP75NE75，带有ST制造的电路图。STP75NE 75采用TO220-2封装，是IC芯片的一部分。
