9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF20NF06L,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STF20NF06L参考价格为3.486美元。STMicroelectronics STF20NF06L封装/规格:MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP。您可以下载STF20NF06L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如STF20NF06L价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
STF20N65M5是MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5,包括MDmesh M4系列,它们设计用于管式包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.011640盎司,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于to-220-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供130 W Pd功耗,器件具有7.5 ns的下降时间,上升时间为7.5 ns,Vgs栅极-源极电压为650 V,Id连续漏极电流为18 a,Vds漏极-源极击穿电压为650伏,Vgs第h栅极-源阈值电压为4伏,漏极-源极电阻Rds为190mOhms,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为36nC。
STF20N95K5是MOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5,包括950 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为以0.011640 oz单位重量运行,晶体管类型如数据表注释所示,用于1 N沟道,提供晶体管极性功能,如N沟道,该器件也可以用作330mOhms Rds漏极-源极电阻。此外,Qg栅极电荷为40nC,该器件提供40W Pd功耗,该器件具有封装管,封装盒为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,Id连续漏电流为17.5A。
STF20NF06是由ST制造的MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP。STF20RF06采用TO-220-3全封装封装,是IC芯片的一部分,并支持MOSFET N-CH60V 20ATO220FP、N沟道60V 20A(Tc)28W(Tc)通孔TO-220FP。