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CSD19531Q5A是MOSFET 100V 5.3mOhm Pwr MOSFET，包括CSD19531Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该器件也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为5.2 ns，上升时间为5.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18.4ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为37nC，正向跨导最小值为82S，沟道模式为增强。
CSD19531KCS是MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3，包括2.7 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如0.211644 oz，典型开启延迟时间设计为8.4 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以NexFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CSD19531KCS，上升时间为7.2ns，漏极-源极电阻Rds为7.7mOhm，Qg栅极电荷为38nC，Pd功耗为179W，封装为Tube，封装盒为TO-220-3，沟道数为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为105 A，下降时间为4.1 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD19531Q5AT是TI制造的“MOSFET 100V”。CSD19531Q 5AT采用SON-8封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 100 V、Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 8引脚VSONP EP T/R、MOSFET 100伏、5.3mOhm、NexFET功率MOSFET”。
