9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF24NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF24NM65N价格参考2.708美元。STMicroelectronics STF24NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 19A TO220FP。您可以下载STF24NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF24N65M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.081130盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-220FP-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数量的通道。此外，该配置是单一的，该器件提供30W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为25.5 ns，上升时间为9.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgsth栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-源极电阻为185mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为29nC，沟道模式为增强。
STF24NM60N是MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N通道MDmesh系列。此外，Rds漏极源极电阻为190 mOhms，该器件提供30 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为17A，并且配置为Single。
STF24NF12带有ST制造的电路图。STF24PF12采用TO-220F封装，是IC芯片的一部分。
