BSC037N08NS5TATMA1

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 漏源电压标 (Vdss) 80 V
• 包装/外壳 8-PowerTDFN
• 供应商设备包装 PG-TDSON-8-7
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 58 nC @ 10 V
• 最大功耗 3W (Ta), 136W (Tc)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 22A（Ta）、100A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 3.7毫欧姆 @ 50A, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 72A
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4200 pF @ 40 V