9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB20AN06A0，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB20AN06A0参考价格为2.136美元。onsemi FDB20AN06A0封装/规格：MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB。您可以下载FDB20AN06A0英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如FDB20AN06A0价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
现在这个模型已经过时了。9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如FDB20AN06A0库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
FDB16AN08A0是MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于TO-252-3以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有135 W的Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为82 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为58 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds导通漏极-漏极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
FDB16AN08AO，带有FSC制造的用户指南。FDB16AN08AO在TO-263封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDB19N20CTM，带有FAI制造的电路图。FDB19N20CTM采用SO-263封装，是IC芯片的一部分。
