STP24N60DM2

Name: STP24N60DM2
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7156927-STP24N60DM2
Price: 6.639566 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc）最大功耗: 150W（Tc）供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
漏源电压标 (Vdss) 600 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-220
漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Tc）
最大功耗 150W（Tc）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 29 nC @ 10 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1055 pF@100 V
导通电阻 Rds(ON) 200毫欧姆@9A、10V

STP24N60DM2 产品详情

这些具有固有快速恢复体二极管的FDmesh II Plus低Qg功率MOSFET是使用新一代MDmesh技术生产的：MDmesh II Plus低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的带状布局相关联，从而产生世界上最低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最高的高效率转换器，并且是桥式拓扑和ZVS移相转换器的理想选择。

特色

极低栅极电荷和输入电容
较低RDS（on）xareavspreviousgeneration
低栅极输入电阻
100%雪崩测试
齐纳保护
极高的dv/dta和雪崩能力

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STP24N60DM2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STP24N60DM2 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STP24N60DM2价格参考￥6.639566，你可以下载 STP24N60DM2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STP24N60DM2规格参数、现货库存、封装信息等信息！