9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP16NK60Z,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STP16NK60Z参考价格为7.232美元。STMicroelectronics STP16NK60Z封装/规格:MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB。您可以下载STP16NK60Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP16NF06L是MOSFET N-CH 60V 16A TO-220,包括STripFET?II系列,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,适用于0.011640盎司,具有通孔等安装方式功能,包装箱设计用于to-220-3,以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ)。此外,安装类型为通孔,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的TO-220AB,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为45W,晶体管类型为1 N通道,漏极至源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为345pF@25V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为16A(Tc),最大Id Vgs的Rds为90mOhm@8A,10V,Vgs的最大Id为2.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为10nC@5V,Pd功耗为45W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为12.5 ns,上升时间为37ns,Vgs栅极-源极电压为16V,Id连续漏极电流为16A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds导通漏极-漏极电阻为80m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为20ns,典型导通延迟时间为10ns,正向跨导最小值为17S,信道模式是增强。
STP16NF25是由ST制造的MOSFET N-CH 250V 13A TO-220。STP16NF5以TO-220-3封装形式提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH250V 13A-TO-220、N沟道250V 14A(Tc)100W(Tc)通孔TO-220AB。
STP16NF25ZFP,带有ST制造的电路图。STP16NF25 ZFP采用TO-220封装,是IC芯片的一部分。