9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR9N20DTRR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR9N20DTRR价格参考2.858美元。Infineon Technologies IRFR9N20DTRR封装/规格：MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK。您可以下载IRFR9N20DTRR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR9N20DTRLPBF是MOSFET MOSFT 200V 9.4A 380mOhm 18nC，包括卷筒封装，它们设计为在0.13932盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供86 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.3 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为9.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds漏极漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型的关断延迟时间为13ns，典型的接通延迟时间为7.5ns，Qg栅极电荷为18nC，正向跨导Min为4.3S，沟道模式为增强。
IRFR9N20DPBF是MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为13 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为16ns，器件的漏极-源极电阻为380mOhms，Qg栅极电荷为18nC，Pd功耗为86W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为9.4 A，下降时间为9.3 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRFR9N20DTRPBF是MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于9.3 ns，提供Id连续漏极电流功能，如9.4 a，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为86W，Qg栅极电荷为18nC，Rds漏极源极电阻为380mOhm，上升时间为16ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为7.5ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IRFR9N20D带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFR9N2 0D采用D-PAK封装，是FET的一部分-单个。
