9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STU11NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STU11NM60ND参考价格为0.252美元。STMicroelectronics STU11NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A IPAK。您可以下载STU11NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STU10P6F6是MOSFET P-CH 60V 0.13Ohm 10A STripFET VI，包括P沟道STripMOSFET系列，它们设计用于管封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于IPAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有35 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为3.7 ns，上升时间为5.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Vgs栅极-源极阈值电压为2 V至4 V，Rds导通漏极-漏极电阻为160 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为14 ns，典型接通延迟时间为64 ns，Qg栅极电荷为6.4 nC。
带有用户指南的STU11N65M2，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，具有0.13932 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为8.5 ns，以及26 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以MDmesh II Plus商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为MDmesh M2，上升时间为7.5ns，漏极-源极电阻Rds为670mOhms，Qg栅极电荷为12.5nC，Pd功耗为85W，封装为Tube，封装外壳为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7 A，下降时间为15 ns。
STU10NM60N是MOSFET N-CH 600V 10A IPAK，包括8 A Id连续漏极电流，它们设计用于通孔安装型，数据表说明中显示了用于1通道的通道数量，该通道提供IPAK-3等封装外壳功能，封装设计用于管内，以及530 mOhms Rds漏极源电阻，该器件也可以用作N通道MDmesh系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.139332盎司，Vds漏极-源极击穿电压为600 V。
STU10NB80带有ST制造的EDA/CAD模型。STU10NB 80采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
