9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP5NK90Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP5NK90Z价格参考1.89美元。STMicroelectronics STP5NK90Z封装/规格：MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB。您可以下载STP5NK90Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP5NK80Z是MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220，包括PowerMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.050717盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于to-220-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为110W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为910pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为4.3A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为2.4 Ohm@2.15A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为45.5nC@10V，Pd功耗为110 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为4.3A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型导通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为32.4nC，前向跨导Min为4.25S，信道模式为增强。
STP5NK80ZFP是MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.071959盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为25 ns，漏极电阻Rds为2.4欧姆，Pd功耗为30 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4.3 A，正向跨导最小值为4.25 S，下降时间为30 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STP5NK65ZFP是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220FP。STP5NK65 ZFP可提供TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH650V 4.5A-TO-220FP、N沟道650V 4.5V（Tc）25W（Tc）通孔TO-220FP。
