9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF19NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF19NM65N价格参考8.784美元。STMicroelectronics STF19NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220FP。您可以下载STF19NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF19NM50N是MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为14 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为34nC，沟道模式为增强。
STF18NM80是MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FP，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为96 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为28 ns，漏极-源极电阻Rds为250 mOhms，Qg栅极电荷为70 nC，Pd功耗为40 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，正向跨导最小值为14 S，下降时间为50 ns。
STF19NF20是MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于11 ns的下降时间，提供Id连续漏极电流功能，例如15 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-220-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为25W，Rds漏极-源极电阻为160mOhm，上升时间为22ns，系列为N信道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为11.5ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
