9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW18NK60Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW18NK60Z参考价格为9.738美元。STMicroelectronics STW18NK60Z封装/规格：MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3。您可以下载STW18NK60Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW18N60M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装盒设计用于to-247-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置是单一的，该器件提供110 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10.6 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为13 A，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs的栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-源极电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为21.5nC，沟道模式为增强。
带有用户指南的STW18N60DM2，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为13.5 ns，以及9.5 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为8 ns，器件的漏极-源极电阻为295 mOhms，Qg栅极电荷为20 nC，Pd功耗为90 W，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为12A，下降时间为32.5ns，配置为1N沟道，沟道模式为增强。
STW18N65M5是MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET，包括单一配置，它们设计为在9 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于9.4 a，提供安装类型特征，如通孔，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，Pd功耗为110 W，器件提供31 nC Qg栅极电荷，器件具有220 mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为7 ns，系列为MDmesh M5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为1.340411 oz，Vds漏极源极击穿电压为650 V，Vgs栅极-源极电压为25V，Vgs第二栅极-源极端电压为5V。
