9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW56N65DM2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW56N65DM2参考价格$2.16。STMicroelectronics STW56N65DM2封装/规格：MOSFET N-CH 650V 48A TO247。您可以下载STW56N65DM2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW56N65DM2，带引脚细节，包括1.340411盎司单位重量，设计用于通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道配置，该设备还可用作360 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为7.7 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为48 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为65mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为157ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为88nC，沟道模式为增强。
STW56N65M2带有用户指南，包括1.340411盎司的单位重量，它们设计为使用Si技术操作，系列如数据表注释所示，用于MDmesh M2，提供管等包装功能，包装盒设计为适用于to-247-3以及通孔安装样式。
STW56N65M2-4，带有ST制造的电路图。STW56N55M2-4以TO-247-4封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持TO247-4封装中的“MOSFET N沟道650 V、N沟道650V 49A（Tc）358W（Tc。
