9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STU70N2LH5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STU70N2LH5价格参考1.328美元。STMicroelectronics STU70N2LH5封装/规格：MOSFET N-CH 25V 48A IPAK。您可以下载STU70N2LH5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如STU70N2LH5价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STU6N65M2带有引脚细节，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于MDmesh，以及IPAK-3包装箱，该设备也可作为Si技术使用。此外，Pd功耗为60W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20ns，上升时间为7ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为4A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅-源极阈值电压为3V，Rds漏极-源极电阻为1.35欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.5ns，典型接通延迟时间为19ns，Qg栅极电荷为9.8nC。
STU6N95K5是MOSFET N CH 950V 9A IPAK，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于950 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，典型的开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh K5系列，该器件的上升时间为12ns，漏极-源极电阻Rds为1.25欧姆，Qg栅极电荷为13nC，Pd功耗为90W，封装为管，封装盒为IPAK-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为21 ns。
STU6NF10是由VB制造的MOSFET N-CH 100V 6A IPAK。STU6NF10有TO-251-3长引线、IPAK、TO-251AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH100V 6A IPAK、N沟道100V 6A（Tc）30W（Tc）通孔I-Pak、MOSFET N-CH、100V-0.22ohms 6A。
