9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDN361AN,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FDN361AN价格参考2.958美元。onsemi FDN361AN封装/规格:MOSFET N-CH 30V 1.8A SUPERSOT3。您可以下载FDN361AN英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDN360P是MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3,包括PowerTrench系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了用于FDN360P_NL的零件别名,该产品提供单位重量功能,例如0.001058盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SSOT-3封装盒,该设备也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为单配置,该器件具有1个晶体管型P信道,Pd功耗为500 mW,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为13 ns,上升时间为13纳秒,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为2A,Vds漏极-源极击穿电压为-30 V,Rds导通漏极-漏极电阻为63 mOhms,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为11 ns,典型接通延迟时间为6 ns,正向跨导最小值为5 S,沟道模式为增强型。
FDN360P_F095,带有Fairchild制造的用户指南。是晶体管-FET、MOSFET-单个的一部分,支持“MOSFET 30V P-CH.FET、MOSFET 30V-P-CH.FFET、80 MO、SSOT3”。
FDN360P-NL,带有FAIRCHILD制造的电路图。FDN360P-NL采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。