9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW28NK60Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW28NK60Z参考价格$2.534。STMicroelectronics STW28NK60Z封装/规格：MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3。您可以下载STW28NK60Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW28N60DM2，带引脚细节，包括1.340411盎司单位重量，设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-247-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及1 N信道配置，该设备还可用作170 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为9.3 ns，上升时间为7.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-25 V，Id连续漏极电流为21 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds导通漏极-源极电阻为160mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为53ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为34nC，沟道模式为增强。
STW28N60M2带有用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为MDmesh M2，器件提供120 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有37 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为190 W，封装为管，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为24 A，配置为单一。
STW28N65M2带有电路图，包括通孔安装型，设计用于to-247-3包装箱，包装如数据表注释所示，用于管，提供MDmesh M2等系列功能，技术设计用于Si，以及1.340411盎司单位重量。
