国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的工艺技术,以实现每个硅区域的最低导通电阻。这一优势,加上HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种适用于各种应用的极为高效的器件。
•P通道
•175°C工作温度
•表面安装(IRFR6215)
•直导线(IRFU6215)
•先进工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
特色
- 符合RoHS
- 低RDS(打开)
- 行业领先的质量
- 动态dv/dt额定值
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 175°C工作温度
- P沟道MOSFET