9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB11NM60N-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB11NM60N-1参考价格$3.922。STMicroelectronics STB11NM60N-1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK。您可以下载STB11NM60N-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB11NM60FDT4是MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK，包括STB11NM60系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有160 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-65 C，下降时间为15 ns，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，漏极-漏极电阻为450m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型导通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为5.2S，沟道模式为增强。
STB11NM60A-1，带有ST MRC制造的用户指南。STB11NM60A-1采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
STB11NM60N是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK。STB11NM6 0N可提供TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 10A I2PAG。
