9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD6606，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD6606价格参考2.784美元。onsemi FDD6606封装/规格：MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK。您可以下载FDD6606英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD6530A是MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，零件别名如数据表注释所示，用于FDD6530A_NL，提供单位重量功能，如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.6W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为710pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为21A（Ta），最大Id Vgs的Rds为32mOhm@8A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@4.5V，Pd功耗为33W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为4 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds漏极源极电阻为32 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18 ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导Min为21S，信道模式为增强。
FDD6530和FAIRCHILD制造的用户指南。FDD6530在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
FDD6530A-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDD6530A-NL采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
