9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF10NM65N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF10NM65N价格参考1.688美元。STMicroelectronics STF10NM65N封装/规格：MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP。您可以下载STF10NM65N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF10NM60N是MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有70W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为10 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds漏极漏极-漏极电阻为550mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为19nC，沟道模式为增强。
STF10NM60ND是MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR，包括25 V Vgs栅极-源极电压，设计用于650 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该器件也可以用作N通道MDmesh系列。此外，Rds漏极源极电阻为600 mOhms，该器件提供25 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为8A，并且配置为Single。
STF10NM60N-PBF，带有ST制造的电路图。STF10NM60 N-PBF在TO220封装中提供，是IC芯片的一部分。
