9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF13NM50N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF13NM50N参考价格$4.088。STMicroelectronics STF13NM50N封装/规格：MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP。您可以下载STF13NM50N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF13N80K5是MOSFET N-CH 800V 12A TO-220FP，包括SuperMESH5？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于SuperMESH，以及to-220-3全包装包装箱，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-220FP，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为35W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为800V，输入电容Cis-Vds为870pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为450 mOhm@6A，10V，Vgs的最大Id为5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为29nC@10V，Pd功耗为35 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为370mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型导通延迟时间为16s，Qg栅极电荷为29nC，信道模式为增强。
STF13N95K3是MOSFET N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3，包括30 V Vgs栅极-源极电压，设计用于950 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为50 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有16 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为850 mOhms，Qg栅极电荷为51 nC，Pd功耗为40 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为10 A，下降时间为21 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF13NK50Z是MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FP，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于24 ns，提供Id连续漏极电流特性，如11 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，器件采用TO-220-3封装盒，器件具有封装管，Pd功耗为30W，Qg栅极电荷为47nC，Rds漏极-源极电阻为480mOhm，上升时间为23ns，串联为N信道MDmesh，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为61ns，典型接通延迟时间为18ns，单位重量为0.011640oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为30V。
