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IRLR3915TRPBF是MOSFET N-CH 55V 30A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供120 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，下降时间为100 ns，上升时间为51 ns，Id连续漏极电流为61 A，Vds漏极-源极击穿电压为55 V，Vgs栅极-源极阈值电压为3 V，漏极-源极电阻Rds为14mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为92nC，正向跨导Min为42S。
IRLR3915TR带有IR制造的用户指南。IRLR3915 TR采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
IRLR4132TRPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 160A DPAK。IRLR4132TRPBF采用TO-252封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH30V 160A-DPAK、MOSFET MOSFET、30V、160A、3.1 mOhm、39 nC Qg、逻辑电平、D-Pak。
IRLR4343是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 26A DPAK。IRLR434有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 26A-DPAK。
