9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF23NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF23NM60N参考价格为10.47美元。STMicroelectronics STF23NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 19A TO220FP。您可以下载STF23NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF22NM60N是MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为16 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，第Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为220mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为74ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为44nC。
STF23NM50N是MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为71 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件具有19 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为45 nC，Pd功耗为30 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，下降时间为29 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF23N80K5，带有ST制造的电路图。STF23T80K5可用于TO-220F封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持TO-220FP封装中的“MOSFET N沟道800V、N沟道80V 16A（Tc）35W（Tc。
