9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD8447L-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD8447L-F085参考价格为0.42000美元。onsemi FDD8447L-F085封装/规格：MOSFET N-CH 40V 50A DPAK。您可以下载FDD8447L-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD8447L是MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1970pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为15.2A（Ta），50A（Tc），Rds On最大Id Vgs为8.5mOhm@14A，10V，Vgs th最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为52nC@10V，Pd功耗为3.8W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为54A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型导通延迟时间为12s，沟道模式为增强型。
FDD8445是MOSFET N-CH 40V 70A DPAK，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于20 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.009184 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，以及26 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的D-Pak，系列为PowerTrenchR，上升时间为82 ns，Rds On Max Id Vgs为8.7 mOhm@50A，10V，Rds On漏极-源极电阻为8.7 m欧姆，功率最大值为79W，Pd功耗为79 W，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为TO-252-3，DPak（2引线+接线片），SC-63，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围是-55°C，其最大工作温度范围为+175 C，输入电容Cis-Vds为4050pF@25V，Id连续漏极电流为70 A，栅极电荷Qg-Vgs为59nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为9.6 ns，漏极-源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为70A（Tc），并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
FDD8445_F085，带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间如数据表注释所示，用于9.6 ns，提供Id连续漏电流功能，如70 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为79 W，Rds漏极-源极电阻为8.7 mOhms，上升时间为82 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为26 ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.009184oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
