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IRF540N_R4942

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥47.78865
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥47.79
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Tc)
  • 最大功耗 120W(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 33A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 79 nC @ 20 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1220 pF@25 V

IRF540N_R4942 产品详情

1.超低导通电阻
-rDS(开)=0.040Ω, VGS=10伏

2.仿真模型
–温度补偿PSPICE™ 和SABER©电气模型
–Spice和SABER©热阻抗模型

3.峰值电流与脉冲宽度曲线

4.UIS评级曲线

绝对最大额定值(Tc=25℃)

1.漏极到源极电压:Vdss=100 V
2.漏极到栅极电压(R GS=20kΩ):Vdgr=100 V
3.栅源电压:Vgs=±20 V
4.漏极电流(Tc=25'C,Vgs=10V):Id=33A

特色

  • 用于宽SOA的平面单元结构
  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 硅优化用于低于100kHz的应用切换
  • 行业标准通孔电源组件
  • 高载流能力封装(高达195 A,取决于管芯尺寸)
  • 能够进行波峰焊接

IRF540N_R4942所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF540N_R4942 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF540N_R4942价格参考¥47.788654,你可以下载 IRF540N_R4942中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF540N_R4942规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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