9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STF8NM60N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STF8NM60N参考价格为11.89美元。STMicroelectronics STF8NM60N封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP。您可以下载STF8NM60N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STF8NK100Z是MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP，包括SuperMESH？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.011640盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-220-3全包装，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-220FP，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为40W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为1000V（1kV），输入电容Cis-Vds为2180pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6.5A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为1.85 Ohm@3.15A，10V，Vgs最大Id为4.5V@100μA，栅极电荷Qg Vgs为102nC@10V，Pd功耗为40W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为19ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为59ns，典型导通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为7S，信道模式是增强。
STF8NM50N是MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如7 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为4.4 ns，漏极-源极电阻Rds为790 mOhms，Qg栅极电荷为14 nC，Pd功耗为20 W，封装为管，封装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5 A，下降时间为8.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STF8NK85Z是由ST制造的MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP。STF8NK852Z提供TO-220-3全封装封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH850V 6.7A-TO-220FP、N沟道850V 6.7V（Tc）35W（Tc）通孔TO-220FP、Trans-MOSFET N-CH850 V 6.7A 3引脚（3+Tab）TO-220fps管。
